2018年12月25日下午，國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金董事長王占甫一行在三安光電集團董事長林秀成的陪同下到泉州芯谷南安分園區(qū)考察，泉州芯谷管委會副主任、南安分園區(qū)主任蔡映輝介紹了園區(qū)情況，隨后考察組一行在泉州三安項目建設總指揮賴總、我司項目經(jīng)理屈曉龍的陪同下，實地考察了我司承建的砷化鎵6#外延、6#前道、5#前道芯片車間施工進度、室內凈化裝修進展等情況。

考察組一行對我們的生產(chǎn)安全、質量進行了評價，高度肯定了我們在組織管理、安全措施和工程質量等方面所做的努力，希望項目部加快處理影響施工的各種不利因素，克服工期緊、任務重等難點，繼續(xù)發(fā)揚中電二“艱苦奮斗、團結協(xié)作、務實進取、忠信致遠”的企業(yè)精神，為泉州三安項目早日投產(chǎn)貢獻力量。

自2001年參與廈門三安電子項目以來，中電二公司和三安光電已經(jīng)歷十余次的合作，17年的風風雨雨，二公司秉持“誠信、責任、創(chuàng)新、共贏”的核心價值觀，不斷精進業(yè)務水平，夯實技術底蘊，至今形成了與三安光電攜手發(fā)展的新篇章。項目組后續(xù)當再接再厲，發(fā)揚中電二先鋒精神，繼續(xù)以客戶為導向，樹立良好的企業(yè)形象和標桿，助三安領跑國際，為“中國芯”貢獻力量。

項目介紹：

泉州三安高端半導體項目位于“泉州芯谷”的核心區(qū)，投資總額333億元，是園區(qū)的首個百億元龍頭項目。項目包括高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目，高端砷化鎵LED外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目，大功率氮化鎵激光器的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目等七大產(chǎn)業(yè)集群，預計全部項目五年內投產(chǎn)，七年內達產(chǎn)，將成為國際上具備規(guī)?；a(chǎn)、研發(fā)化合物半導體芯片能力的企業(yè)。

南安基地在LED上面非常精確的瞄準另外一個前景美好的未來技術——MiniLED和MicroLED。作為顯示的Mini和Micro技術，南安基地的建成將促進三安能夠達到全球前三這一競爭格局。